English

専門分野	半導体デバイス工学，ナノエレクトロニクス
研究領域	原子層物質の電子物性とデバイス応用 シリコン量子機能素子に関する研究
所属学会	応用物理学会 日本物理学会
略　歴	2000年3月　東京理科大学　理工学部　物理学科　卒業 2002年3月　東京工業大学　大学院総合理工学研究科　修士課程　修了 2005年3月　東京工業大学　大学院総合理工学研究科　博士課程　修了 2005年4月　理化学研究所　基礎科学特別研究員 2007年2月　物質・材料研究機構　若手国際研究拠点　研究員 2007年10月　物質・材料研究機構　国際ナノアーキテクトニクス研究拠点　独立研究者 2016年4月　物質・材料研究機構　国際ナノアーキテクトニクス研究拠点　量子デバイス工学グループ　主任研究員 2020年3月　東京電機大学　工学部　電気電子工学科　准教授 2022年10月　東京電機大学　工学部　電気電子工学科　教授
Mail

代表的な論文

• Takuya Iwasaki, Shu Nakaharai, Yutaka Wakayama, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yoshifumi Morita, Satoshi Moriyama: “Single-Carrier Transport in Graphene/hBN Superlattices”, Nano Letters, 20, 2551-2557 (2020). DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b05332
• Kosuke Endo, Katsuyoshi Komatsu, Takuya Iwasaki, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yutaka Noguchi, Yutaka Wakayama, Yoshifumi Morita, and Satoshi Moriyama: “Topological valley currents in bilayer graphene/hexagonal boron nitride superlattices”, Applied Physics Letters, 114, 243105 (2019). (selected as a Featured Article) DOI: 10.1063/1.5094456
• Keiji Ono, Takahiro Mori, and Satoshi Moriyama: “High-temperature operation of a silicon qubit”, Scientific Reports, 9, 469 (2019). DOI: 10.1038/s41598-018-36476-z
• Katsuyoshi Komatsu, Yoshifumi Morita, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi and Satoshi Moriyama: “Observation of the quantum valley Hall state in ballistic graphene superlattices”, Science Advances, 4, eaaq0194 (2018). DOI: 10.1126/sciadv.aaq0194
• Satoshi Moriyama, Daiju Tsuya, Eiichiro Watanabe, Shinya Uji, Maki Shimizu, Takahiro Mori, Tomohiro Yamaguchi, and Koji Ishibashi: “Coupled quantum dots in a graphene-based two-dimensional semimetal”, Nano Letters, 9, 2891-2896 (2009). DOI: 10.1021/nl9011535

研究室紹介

• 私たちの研究室では，2次元原子層薄膜の電気伝導や最先端シリコン量子機能素 子の計測・制御を行っています。そして，そこで得られた知見から新機能・新原 理デバイスへの応用を探求し，高性能電子・光デバイスやセンサーの実現，量子 コンピュータなどの新機能エレクトロニクスの基盤技術の開発を推進しています。